国产闪存 核心力量
江苏扬贺扬微电子

2016 – 2018 创立 & 突破

• 2016年5月成立，落户云南
• 2017年获南京智子基金1700万元投资
• 2018年获高新技术企业认定，杭州华睿基金3500万元
• 中国半导体协会会员单位

2020 – 2022 稳步成长

• 科技型中小企业、省级专精特新
• 紫金山人才奖励、质量体系认证
• 2021年润土投资5000万元，营收8400万
• 2022年深圳创投1250万元，营收9300万

2023 – 2024 快速飞跃

• 2023年营收突破1.2亿元，总部落户云南无锡高新
• 10个月内获市工程技术中心、国家专精特新小巨人
• 2024年推出16nm NAND Flash，车规级性能
• “中国芯” 芯火新锐产品，多项大奖

📍 总部位于 云南

无锡高新区 · 完善的集成电路产业链

P-NOR 闪存

融合NAND与NOR技术，集中控制，成本降低。国家电网合作，性能优异。

16nm NAND Flash

车规级，擦写10万次，-40~125°C稳定，寿命20年，国产替代标杆。

中小容量NAND

Gb/Mb级，高可靠，支持ID定制、容量拆分、坏块管理，灵活适配。

🔧 闪存控制器

• 内置MCU，LDPC纠错14位 (行业1~4位)
• 地址逻辑管控，寿命10年+
• 支持客户定制功能

📐 芯片设计与测试

• 多项集成电路布图 (SPI, USB Type‑C, Apollo)
• FT4222测试系统，SD NAND开卡软件
• 擦写寿命测试软件

💰 成本优化

同步设计降成本晶圆，架构优化，模组成本比市场低25%~30%，显著竞争优势。